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2021年授权专利

  1. 崔书娟、梅增霞、张永晖、梁会力、杜小龙，“一种超快响应非晶Ga2O3日盲紫外探测器及其制备方法”，专利申请号:201710360774.9，申请日期：2017-05-19，授权公告日：2021年2月24日，专利权人：中科院物理研究所。
  2. 隋妍心、崔书娟、霍文星、梅增霞、梁会力、杜小龙“用于臭氧气体传感器的气敏传感器件以及制备方法”，专利申请号:201811172620.8，申请日期：2018-10-09，授权公告日：2021年4月1日，专利权人：中科院物理研究所。

2020年授权专利

  1. 梁会力,韩祖银，梅增霞，杜小龙,“一种X射线探测器及其制造方法”，专利申请号:201910175373.5，申请日期：2019-03-08，授权公告日：2020年11月27日，专利权人：中科院物理研究所。
  2. 梁会力、崔书娟、张永晖、霍文星、王涛、梅增霞、杜小龙，“一种直接型X射线探测器及其制备方法”，专利申请号:201711078675.8，申请日期：2017-11-06，授权公告日：2020年10月27日，专利权人：中科院物理研究所。
  3. 王涛、梅增霞、梁会力、杜小龙,“摩擦纳米发电机摩擦层表面微结构的制备方法”，专利申请号:201810187302.2，申请日期：2018-03-07，授权公告日：2020年11月10日，专利权人：中科院物理研究所。
  4. 张永晖，梅增霞，梁会力，刘尧平，杜小龙，“薄膜晶体管驱动电路”，专利申请号:201510590404.5，申请日期：2015-09-16，授权公告日：2020年11月10日，专利权人：中科院物理研究所 。
  5. 张永晖、梅增霞、梁会力、杜小龙，“一种全透明薄膜晶体管的制备方法”，国际申请号：PCT/CN2017/077818，申请日期：2017-03-23，优先权日：2017-01-20，授权公告日：2020年8月18日，专利权人：中科院物理研究所。

2019年新申请专利

  1. 梁会力,韩祖银，梅增霞，杜小龙,“一种X射线探测器及其制造方法”，专利申请号:201910175373.5，申请日期：2019-03-08，专利权人：中科院物理研究所。
  2. 隋妍心，霍文星，王涛，韩祖银，朱锐，梅增霞，梁会力，杜小龙,“非晶Ga2O3光电探测器及其制备方法和性能提升方法”，专利申请号:201910192170.7，申请日期：2019-03-14，专利权人：中科院物理研究所。
  3. 霍文星,梅增霞，梁会力，杜小龙,“一种高压薄膜晶体管”，专利申请号:201910208980.7，申请日期：2019-03-19，专利权人：中科院物理研究所。
  4. 韩祖银,梅增霞,梁会力,杜小龙,“非晶氧化镓刻蚀方法及在三端器件和阵列成像系统的应用”，专利申请号:201910245457.1，申请日期：2019-03-28，专利权人：中科院物理研究所。
  5. 王涛,梅增霞,梁会力,杜小龙,“一种自驱动式光电探测系统”，专利申请号:201910924299.2，申请日期：2019-09-27，专利权人：中科院物理研究所。
  6. 王涛,梅增霞,梁会力,杜小龙,“一种环境电磁场能量收集装置及其制备方法”，专利申请号:201910924272.3，申请日期：2019-09-27，专利权人：中科院物理研究所。

2018年授权专利

  1. 刘尧平、王燕、梅增霞、杜小龙，“一种降低硅片表面光反射率的方法”，专利申请号：201110021866.7，申请日期：2011-01-12，授权公告日：2018年3月26日,专利权人：中科院物理研究所(已转让)。
  2. 杜小龙、张永晖、梅增霞、梁会力，“薄膜晶体管和场效应二极管”，专利申请号：201820050467.0（基于CN 2017107196327 2017年8月21日），申请日期：2018-01-12，授权公告日：2018年9月28日,专利权人：中科院物理研究所。
  3. 梅增霞、张永晖、梁会力、杜小龙，场效应二极管及包括其的全波整流电桥和能量管理电路”，专利申请号：201820052089.X （基于CN 2017107189145 2017年8月21日)，申请日期：2017-08-21，授权公告日：2018年8月18日,专利权人：中科院物理研究所。

2018年新申请专利

  1. 霍文星、梅增霞、梁会力、张永晖、崔书娟、隋妍心、杜小龙、贾海强,“一种柔性金属衬底及其制备方法和应用”，专利申请号:201810087557.1，申请日期：2018-01-30，专利权人：中科院物理研究所。
  2. 霍文星、梅增霞、梁会力、张永晖、崔书娟、隋妍心、杜小龙,“一种柔性金属衬底及其制备方法和应用”，专利申请号:201810087594.2，申请日期：2018-01-30，专利权人：中科院物理研究所。
  3. 侯尧楠、梅增霞、梁会力、杜小龙,“氧化锌量子光源及其制备方法”，专利申请号:201810100060.9，申请日期：2018-02-01，专利权人：中科院物理研究所。
  4. 王涛、梅增霞、梁会力、杜小龙,“摩擦纳米发电机摩擦层表面微结构的制备方法”，专利申请号:201810187302.2，申请日期：2018-03-07，专利权人：中科院物理研究所。
  5. 陈全胜、刘尧平、陈伟、吴俊桃、赵燕、王燕、杜小龙,“减反射表面结构以及相应的制备方法”，专利申请号:201810384786.X，申请日期：2018-04-26，专利权人：中科院物理研究所。
  6. 隋妍心、崔书娟、霍文星、梅增霞、梁会力、杜小龙“用于臭氧气体传感器的气敏传感器件以及制备方法”，专利申请号:201811172620.8，申请日期：2018-10-09，专利权人：中科院物理研究所。

2017年授权专利

  1. 梅增霞、叶大千、刘利书、梁会力、刘尧平、杜小龙，“新型薄膜晶体管及光电子器件和微电子器件”，专利申请号:201410349844.7，申请日期：2014-07-22，授权公告日：2017年2月1日,专利权人：中科院物理研究所。
  2. 杨丽霞、刘尧平、王燕、陈伟、梁会力、梅增霞、杜小龙，“混合太阳能电池及其制备方法、空穴输运层形成方法”，专利申请号:201410337868.0，申请日期：2014-07-16，授权公告日：2017年2月15日,专利权人：中科院物理研究所。
  3. 刘利书、梅增霞、侯尧楠、刘章龙、梁会力、刘尧平、杜小龙，“一种光电子器件”，专利申请号:201410014142.3，申请日期：2014-01-10，授权公告日：2017年7月25日,专利权人：中科院物理研究所。

2017年新申请专利

  1. 张永晖、梅增霞、梁会力、杜小龙，“一种全透明薄膜晶体管的制备方法”，专利申请号:201710040513.9，申请日期：2017-01-20，专利权人：中科院物理研究所。
  2. 崔书娟、梅增霞、张永晖、梁会力、杜小龙，“一种超快响应非晶Ga2O3日盲紫外探测器及其制备方法”，专利申请号:201710360774.9，申请日期：2017-05-19，专利权人：中科院物理研究所。
  3. 梅增霞、张永晖、梁会力、杜小龙，“场效应二极管及能量管理电路”，专利申请号:201710718914.5，申请日期：2017-08-21，专利权人：中科院物理研究所。
  4. 张永晖、梅增霞、梁会力、杜小龙，“薄膜晶体管和场效应二极管的制备方法”，专利申请号:201710719655.8，申请日期：2017-08-21，专利权人：中科院物理研究所。
  5. 杜小龙、张永晖、梅增霞、梁会力，“薄膜晶体管和场效应二极管”，专利申请号:201710719632.7，申请日期：2017-08-21，专利权人：中科院物理研究所。
  6. 崔书娟、梅增霞、梁会力、张永晖、霍文星、杜小龙，“表面等离激元增强的氧化镓紫外探测器及其制备方法和应用”，专利申请号:201711005864.2，申请日期：2017-10-25，专利权人：中科院物理研究所。
  7. 赵燕、刘尧平、王燕、杜小龙,“直拉单晶硅片的结构缺陷检测方法”，专利申请号:201711006240.2，申请日期：2017-10-25，专利权人：中科院物理研究所。
  8. 陈全胜、刘尧平、王燕、杜小龙，“一种硅片检测方法和硅片检测装置”，专利申请号:201711025953.3，申请日期：2017-10-27，专利权人：中科院物理研究所。
  9. 梁会力、崔书娟、张永晖、霍文星、王涛、梅增霞、杜小龙，“一种直接型X射线探测器及其制备方法”，专利申请号:201711078675.8，申请日期：2017-11-06，专利权人：中科院物理研究所。

2017年新申请国际专利

  1. 张永晖、梅增霞、梁会力、杜小龙，“一种全透明薄膜晶体管的制备方法”，国际申请号：PCT/CN2017/077818，申请日期：2017-03-23，优先权日：2017-01-20，专利权人：中科院物理研究所。

2016年授权专利

  1. 陈伟、刘尧平、杨丽霞、梁会力、梅增霞、杜小龙，“一种用于太阳能电池的硅片”，实用新型专利申请号:2015208605888，申请日期：2015-10-30，授权公告日：2016年3月14日,专利权人：中科院物理研究所
  2. 王艳红,李泓,刘尧平,梅增霞,王燕,杜小龙，“一种用于锂电池的负极材料及其制备方法和应用”，申请号:201210185907.0，申请日期：2012-06-07，授权公告日：2016年4月26日,专利权人：中科院物理研究所
  3. 张永晖、梅增霞、梁会力、杜小龙，“场效应二极管”，实用新型专利申请号:201620054295.5，申请日期：2016-01-20，授权公告日：2016-05-05，专利权人：中科院物理研究所。
  4. 王燕，刘尧平，杨丽霞，陈伟，梁会力，梅增霞，杜小龙，“太阳能电池纳米发射极及其制备方法”，申请号: 2014100134631，申请日期：2014-01-13，授权公告日：2016-06-01，专利权人：中科院物理研究所。

2016年新申请专利

  1. 张永晖、梅增霞、梁会力、杜小龙，“场效应二极管”，实用新型专利申请号:201620054295.5，申请日期：2016-01-20，专利权人：中科院物理研究所。
  2. 张永晖，梅增霞，梁会力，杜小龙，“场效应二极管”，专利申请号:201610036965.5，申请日期：2016-01-20，专利权人：中科院物理研究所。
  3. 陈全胜、刘尧平、杨丽霞、陈伟、吴俊桃、杜小龙，“多晶硅晶面指数的检测方法和检测装置”，专利申请号:2016103959461，申请日期：2016-06-07，专利权人：中科院物理研究所。
  4. 陈伟、刘尧平、杨丽霞、吴俊桃、杜小龙，“一种链式晶硅制绒设备及制备方法”，专利申请号:2016104110870，申请日期：2016-06-13，专利权人：中科院物理研究所。
  5. 陈伟、刘尧平、杨丽霞、吴俊桃、杜小龙，“一种链式晶硅制绒设备及制备方法”，实用新型专利申请号:2016205776047，申请日期：2016-06-13，专利权人：中科院物理研究所。

2015年授权专利

  1. 刘尧平、王燕、杨丽霞、梅增霞、陈伟、梁会力、库兹涅佐夫.安德烈、杜小龙，“用于太阳能电池的硅片”，实用新型专利申请号:2014204410640，申请日期：2014-08-06，授权公告日：2015年3月2日,专利权人：中科院物理研究所。
  2. 张永晖、梅增霞、刘利书、梁会力、刘尧平、杜小龙，“薄膜晶体管”，实用新型专利申请号: 2014207623352，申请日期：2014-12-18，授权公告日：2015年2月4日，专利权人：中科院物理研究所。
  3. 梅增霞，梁会力，梁爽，叶大千，刘章龙，崔秀芝，刘尧平，杜小龙，“在Si衬底上制备纤锌矿相MxZn1-xO单晶薄膜的方法”，专利申请号：201110119774.2，申请日：2011-5-10，授权公告日：2015年6月1日，专利权人：中科院物理研究所。
  4. 王燕，刘尧平，叶大千，梅增霞，杜小龙，“一种用于黑硅的宽波段范围减反射方法”，申请号: 201210350141.7，申请日期：2012-08-24，授权公告日：2015年8月6日，专利权人：中科院物理研究所。
  5. 刘尧平、陈伟、杨丽霞、杜小龙，“晶硅制绒槽”，实用新型专利申请号:2015206625162，申请日期：2015-08-28，授权公告日：2015年11月2日，专利权人：中科院物理研究所。
  6. 张永晖、梅增霞、梁会力、刘尧平、杜小龙，薄膜晶体管驱动电路”，实用新型专利申请号:201520717477.1，申请日期：2015-09-16，授权公告日：2015-11-30，专利权人：中科院物理研究所。

2015年新申请专利

  1. 刘尧平、陈伟、杨丽霞、杜小龙，“晶硅制绒槽”，实用新型专利申请号:2015206625162，申请日期：2015-08-28，专利权人：中科院物理研究所。
  2. 刘尧平、陈伟、杨丽霞、杜小龙，“晶硅制绒槽”，专利申请号:2015105419232，申请日期：2015-08-28，专利权人：中科院物理研究所。
  3. 陈伟、刘尧平、杨丽霞、梁会力、梅增霞、杜小龙，“一种用于太阳能电池的硅片”，实用新型专利申请号:2015208605888，申请日期：2015-10-30，专利权人：中科院物理研究所。
  4. 陈伟、刘尧平、杨丽霞、梁会力、梅增霞、杜小龙，“用于硅片金字塔制绒的酸性制绒液、制绒方法以及采用该制绒方法制绒而成的硅片”，实用新型专利申请号:2015107295766，申请日期：2015-10-30，专利权人：中科院物理研究所。
  5. 张永晖，梅增霞，梁会力，刘尧平，杜小龙，“薄膜晶体管驱动电路”，专利申请号:201510590404.5，申请日期：2015-09-16，专利权人：中科院物理研究所 。
  6. 张永晖，梅增霞，梁会力，刘尧平，杜小龙，“薄膜晶体管驱动电路”，实用新型专利申请号:201520717477.1，申请日期：2015-09-16，专利权人：中科院物理研究所。

2014年授权专利

  1. 王燕，刘尧平，梅增霞，杜小龙，“一种硅的氧化钝化方法及钝化装置”，专利申请号：201110376438.6，申请日：2011-11-24，授权公告日：2014年1月22日,专利权人：中科院物理研究所。
  2. 刘利书、梅增霞、侯尧楠、刘章龙、梁会力、刘尧平、杜小龙，“光电子器件”，实用新型专利申请号：2014200169585，申请日：2014年1月10日，授权公告日：2014年7月8日,专利权人：中科院物理研究所。

2014年新申请专利

  1. 王燕，刘尧平，杨丽霞，陈伟，梁会力，梅增霞，杜小龙，“太阳能电池纳米发射极及其制备方法”，申请号: 2014100134631，申请日期：2014-01-13，专利权人：中科院物理研究所。
  2. 杨丽霞，刘尧平，王燕，陈伟，梁会力，梅增霞，杜小龙，“混合太阳能电池及其制备方法、空穴输运层形成方法”，申请号:201410337868.0，申请日期：2014-07-16，专利权人：中科院物理研究所。
  3. 梅增霞，叶大千，刘利书，梁会力，刘尧平，杜小龙，“新型薄膜晶体管及光电子器件和微电子器件”，申请号:201410349844.7，申请日期：2014-07-22，专利权人：中科院物理研究所。
  4. 刘尧平、王燕、杨丽霞、梅增霞、陈伟、梁会力、库兹涅佐夫.安德烈、杜小龙，“用于刻蚀太阳能电池硅片的酸性制绒液、制绒方法、太阳能电池片及其制作方法”，申请号:2014103843131，申请日期：2014-08-06，专利权人：中科院物理研究所。
  5. 刘尧平、王燕、杨丽霞、梅增霞、陈伟、梁会力、库兹涅佐夫.安德烈、杜小龙，“用于太阳能电池的硅片”，申请号:2014204410640，申请日期：2014-08-06，专利权人：中科院物理研究所。
  6. 陈伟、刘尧平、杨丽霞、王燕、梁会力、梅增霞、杜小龙，“一种太阳能电池及其制备方法”，申请号:2014104184998，申请日期：2014-08-22，专利权人：中科院物理研究所。
  7. 张永晖、梅增霞、刘利书、梁会力 、刘尧平、杜小龙，“薄膜晶体管”，申请号:2014207623352，申请日期：2014-12-18，专利权人：中科院物理研究所。
  8. 张永晖、梅增霞、刘利书、梁会力 、刘尧平、杜小龙，“薄膜晶体管”，申请号:2014107411014，申请日期：2014-12-18，专利权人：中科院物理研究所。
  9. 刘利书、梅增霞、侯尧楠、刘章龙、梁会力、刘尧平、杜小龙，“光电子器件”，实用新型专利申请号：2014200169585，申请日：2014年1月10日，授权公告日：2014年7月8日,专利权人：中科院物理研究所。

2013年授权专利

  1. 梅增霞，侯尧楠，梁会力，叶大千，刘尧平，杜小龙，“深紫外探测器及其制备方法”，申请号:201310244835.7，申请日期：2013-06-19，授权公告日：2013年11月13日，专利权人：中科院物理研究所。

2013年新申请专利

  1. 刘尧平，王燕，梁会力，梅增霞，杜小龙，“选择性纳米发射极太阳能电池及其制备方法”，申请号: 201310174133.6，申请日期：2013-05-13，专利权人：中科院物理研究所。
  2. 梅增霞，侯尧楠，梁会力，叶大千，刘尧平，杜小龙，“深紫外探测器及其制备方法”，申请号:201310244835.7，申请日期：2013-06-19，专利权人：中科院物理研究所。
  3. 梅增霞，侯尧楠，梁会力，刘尧平，杜小龙，“紫外探测器”，申请号:201320421136.0，申请日期：2013-07-16，专利权人：中科院物理研究所。
  4. 梅增霞，侯尧楠，梁会力，刘尧平，杜小龙，“紫外探测器及其制备方法”，申请号:201310296878.X，申请日期：2013-07-16，专利权人：中科院物理研究所。

2012年授权专利

  1. 梅增霞，梁会力，梁爽，刘章龙，李俊强，侯尧楠，刘尧平，崔秀芝，张生利，杜小龙，“一种在蓝宝石衬底上制备高质量ZnO单晶薄膜的方法”，申请号: 201010147510.3，申请日期：2010-04-13，专利权人：中科院物理研究所。

2012年新申请专利

  1. 王燕，刘尧平，叶大千，梅增霞，杜小龙，“一种用于黑硅的宽波段范围减反射方法”，申请号: 201210350141.7，申请日期：2012-08-24，专利权人：中科院物理研究所。
  2. 王艳红,李泓,刘尧平,梅增霞,王燕,杜小龙，“一种用于锂电池的负极材料及其制备方法和应用”，申请号:201210185907.0，申请日期：2012-06-07，专利权人：中科院物理研究所。

2011年授权专利

  1. 梁爽，梅增霞，梁会力，崔秀芝，杜小龙："一种基于PIN异质结构的碳化硅基紫外探测材料的制备方法"，专利申请日：2010年6月25日，发文日：2010年7月8日，专利申请号：201010219623. X，专利授权日：2011年7月27日，专利权人：中科院物理研究所。
  2. 刘章龙，杜小龙，梅增霞，张天冲，郭阳："一种制备MgZnO单晶薄膜的方法"，专利申请日：2008年10月20日，公开日：2009年3月11日，专利申请号：200810224529.6，授权公告日：2011年8月31日，专利权人：中科院物理研究所。

2011年新申请专利

  1. 刘尧平，王燕，梅增霞，杜小龙，“一种降低硅片表面光反射率的方法”，专利申请号：201110021866.7，申请日：2011-1-12，专利权人：中科院物理研究所。
  2. 李俊强，梅增霞，叶大千，崔秀芝，杜小龙，“一种高质量氧化亚铜薄膜的制备方法”，申请号：201110033968.0， 申请日期：2011-01-31，专利权人：中科院物理研究所。
  3. 梅增霞，梁会力，梁爽，叶大千，刘章龙，崔秀芝，刘尧平，杜小龙，“在Si衬底上制备纤锌矿相MxZn1-xO单晶薄膜的方法”，专利申请号：201110119774.2，申请日：2011-5-10，专利权人：中科院物理研究所。
  4. 侯尧楠，梅增霞，梁会力，叶大千，梁爽，杜小龙，“硅基异质结紫外探测器及其制造方法”，专利申请号：201110156368.3，申请日：2011-6-10，专利权人：中科院物理研究所。
  5. 叶大千，梅增霞，李俊强，刘尧平，杜小龙，“一种制备Cu2O薄膜的方法”，申请号：201110376430.X， 申请日期：2011-11-23，专利权人：中科院物理研究所。
  6. 王燕，刘尧平，梅增霞，杜小龙，“一种硅的氧化钝化方法及钝化装置”，专利申请号：201110376438.6，申请日：2011-11-24，专利权人：中科院物理研究所。

2010年授权专利

  1. 刘尧平，张天冲，梅增霞，郭阳，杜小龙："一种p型ZnO薄膜制造方法"，专利号:ZL 200810223688.4，授权公告日：2010年12月8日, 申请日: 2008-10-07，专利权人：中科院物理研究所。
  2. 袁洪涛, 梅增霞, 杜小龙, 曾兆权, 马丽颖, 薛其坤, 贾金锋："表面活性剂法制备表面平整的高质量氧化锌外延薄膜"，专利号:ZL 200710120861.3，授权公告日：2010年2月3日, 申请日: 2007-08-28，专利权人：中科院物理研究所。
  3. 张天冲,郭阳,梅增霞,顾长志,杜小龙："一种硅基双异质结可见盲紫外探测器及其制造方法"，专利号:ZL 200810227958.9，授权公告日：2010年4月21日，申请日: 2008-12-03，专利权人：中科院物理研究所。
  4. 张天冲，杜小龙，梅增霞，崔秀芝，刘章龙，刘尧平，郭阳，薛其坤："活性气体环境中实时监测金属源束流变化的装置和方法"，专利号: ZL 200810104269.9，授权公告日：2010年6月16日，申请日：2008-4-17，专利权人：中科院物理研究所。

2010年国际授权专利

  1. 杜小龙，曾兆权，袁洪涛，李含冬，薛其坤，贾金峰：“一种高纯材料的高真空原位精炼方法及装置"，美国专利号：US 7753987 B2,专利授权日：2010年7月13日，专利权人：中科院物理研究所。

2010年新申请专利

  1. 刘尧平，梅增霞，侯尧楠，杜小龙，“一种等离子体薄膜太阳能电池增效方法”，申请号：201010243362.5, 申请日期：2010-08-02, 专利权人：中科院物理研究所。
  2. 梅增霞，梁会力，梁爽，刘章龙，李俊强，侯尧楠，刘尧平，崔秀芝，张生利，杜小龙“一种在蓝宝石衬底上制备高质量ZnO单晶薄膜的方法”，申请号: 201010147510.3，申请日期：2010-04-13，专利权人：中科院物理研究所。
  3. 梁会力，梅增霞，刘章龙，李俊强，崔秀芝，杜小龙，“一种基于PIN异质结构的短波长紫外发光材料的制备方法”，申请号: 201010191983.3，申请日期：2010-05-26，专利权人：中科院物理研究所。

2009年授权专利

  1. 张天冲、梅增霞、郑浩、杜小龙、薛其坤、罗强、顾长志,"ZnO金属肖特基接触的制备方法及其在紫外探测器中的应用"，专利号: ZL 200710065075.8，授权公告日: 2009-02-18，专利权人：中科院物理研究所. 申请日：2007-04-02
  2. 杜小龙、王喜娜、王勇、梅增霞、张天冲、薛其坤："一种在硅晶片上制备高质量硅化镁薄膜的方法"，专利号: ZL 200710064777.4，授权公告日: 2009-02-04，专利权人：中科院物理研究所. 申请日：2007-03-26。
  3. 袁洪涛、杜小龙、曾兆权、薛其坤、贾金锋："用于制备高质量氧化锌薄膜的蓝宝石衬底原位处理方法"，专利号：ZL 200510134214.9， 授权公告日: 2009-09-30（发明专利）专利权人：中科院物理研究所。
  4. 李含冬、杜小龙、袁洪涛、曾兆权、张天冲、董靖、王喜娜、梅增霞、薛其坤、贾金锋："一种耐活性氧腐蚀的新型平面线阵辐射加热器"，专利号：ZL 200610007269.8，授权公告日: 2009-11-18（发明专利）专利权人：中科院物理研究所。

2009年新申请国际专利

  1. 杜小龙、王喜娜、曾兆权、袁洪涛、梅增霞、薛其坤、贾金峰，“一种在Si（111）衬底上制备高质量ZnO单晶薄膜的方法”，已进入美国，专利权人：中科院物理研究所。

2008年授权专利

  1. 杜小龙、王喜娜、曾兆权、袁洪涛、梅增霞、薛其坤、贾金锋,"一种在Si(111)衬底上制备高质量ZnO单晶薄膜的方法"，专利号：ZL 200610064977.5, 授权公告日：2008-10-01，专利权人：中科院物理研究所。
  2. 李含冬、杜小龙、梅增霞、曾兆权、袁洪涛、王喜娜、董 靖、张天冲、薛其坤, "一种耐活性氧腐蚀的新型高效衬底加热装置"，专利号：ZL 200610113604.2，授权公告日：2008-12-10，专利权人：中科院物理研究所。

2008年新申请专利

  1. 刘章龙，杜小龙，梅增霞，张天冲，郭阳,"一种制备MgZnO单晶薄膜的方法"，申请号: 200810224529.6，申请日期：2008-10-20，专利权人：中科院物理研究所。

2007年授权专利

  1. 郑浩，杜小龙，薛其坤，贾金锋，顾长志,"一种氧化锌薄膜的刻蚀方法"，专利号：ZL 200510002695.8，授权公告日：2007年1月10日. 申请日：2005年1月26日，专利权人：中科院物理研究所。
  2. 杜小龙，薛其坤，英敏菊，梅增霞，曾兆权，郑浩，"在(La,Sr)(Al,Ta)O3上制备高质量ZnO单晶薄膜的方法"，专利号：ZL 200410071047.3, 授权公告日：2007年1月10日， 申请日：2004年7月28日，专利权人：中科院物理研究所
  3. 杜小龙，薛其坤，贾金锋，梅增霞，英敏菊，曾兆权，郑浩，袁洪涛，"一种制备高质量氧化锌单晶薄膜的三缓冲层方法"，专利号：ZL 200410086325.2，授权公告日：2007年2月28日. 申请日：2004年10月25日，专利权人：中科院物理研究所。
  4. 杜小龙、曾兆权、袁洪涛、薛其坤、贾金锋、李含冬、王喜娜，"一种用于提炼高纯材料的高真空原位精练装置"，专利号：ZL 200510105687.6，授权公告日：2007年2月28日. 申请日：2005年9月30日,专利权人：中科院物理研究所。
  5. 杜小龙，薛其坤，贾金锋，曾兆权，袁洪涛，英敏菊，郑浩，"一种在铝酸镁衬底上制备ZnO单晶薄膜的方法"，专利号：ZL 200510064653.7，授权公告日：2007年4月4日. 申请日：2005年4月19日，专利权人：中科院物理研究所。
  6. 杜小龙，薛其坤，贾金锋，曾兆权，袁洪涛，英敏菊，梅增霞，郑浩，"含三种掺杂剂的p型氧化锌薄膜及其制造方法"，专利号：ZL 200510063056.2，授权公告日：2007年5月23日. 申请日：2005年4月5日，专利权人：中科院物理研究所。
  7. 杜小龙、袁洪涛、曾兆权、薛其坤、贾金锋、王喜娜、李含冬，"一种高纯材料的高真空原位两步精练方法"，专利号：ZL 200510105454.6，授权公告日：2007年5月23日. 申请日：2005年9月28日，专利权人：中科院物理研究所。
  8. 杜小龙，薛其坤，贾金锋，曾兆权，袁洪涛，张泽，刘玉资，英敏菊，郑浩，"一种在铝酸镁衬底上制备高质量锌极性ZnO单晶薄膜的方法"，专利号：ZL　200510069276.6，授权公告日：2007年7月25日. 申请日：2005年5月16日，专利权人：中科院物理研究所。
  9. 杜小龙、曾兆权、袁洪涛、薛其坤、贾金锋、李含冬、王喜娜，"一种用于提炼高纯材料的高真空原位精练装置"，专利号：ZL 200520127363.8，授权公告日：2007年1月10日（实用新型）. 申请日：2005年10月11日 ，专利权人：中科院物理研究所。
  10. 李含冬、杜小龙、袁洪涛、曾兆权、张天冲、 董靖、王喜娜、梅增霞、薛其坤、贾金锋，"一种耐活性氧腐蚀的新型平面线阵辐射加热器"，专利号：ZL 200620003832.X，授权公告日：2007年4月11日（实用新型）. 申请日：2006年2月16日，专利权人：中科院物理研究所。

2004年新申请专利

  1. 杜小龙、薛其坤、梅增霞、曾兆权、英敏菊、郑浩"一种制备高质量氧化锌基单晶薄膜的方法"，申请号：200410033796.7，公开日：2005年1月12日，申请日：2004年4月20日，专利权人：中科院物理研究所。