第九届国际氧化锌及相关材料研讨会

暨第一届海峡两岸氧化锌及相关材料研讨会在台北市召开

（2016年11月5日）

2016年10月31日至11月2日，由国立台湾大学主办的第九届国际氧化锌及相关材料研讨会暨第一届海峡两岸氧化锌及相关材料研讨会在台北市召开，共有来自全球各地的190名代表参会，遴选出口头报告60个，张贴报告108个。我组由梁会力副主任工程师带队，与博士生汤爱华、崔书娟、霍文星等四人参加了会议。 梁会力博士作了以“Crystalline BeO bi-functional layer for ZnO TFT on Si”为题的口头报告，介绍了我组独特的Si基氧化物高温界面工程工艺技术，以及硅基氧化锌新颖三端光电晶体管的制备工艺、性能表征及优化，受到了与会者的广泛关注。博士生汤爱华作了以“Donor–zinc vacancy acceptor complex: The origin of self-compensation in Ga-doped ZnO”为题的张贴报告，阐述了Ga掺杂ZnO中自补偿的来源，其结果得到了Prof. David C. Look等人的肯定；博士生崔书娟作了以“Influence of oxygen flux on the performance of Ga2O3 photodetectors”为题的张贴报告，细致地介绍了氧分压对于氧化镓光电探测器性能的影响；博士生霍文星作了以“Investigation on Na-H co-doped ZnO films by rf-MBE”为题的张贴报告，介绍了我组在氧化锌p型掺杂的新探索，并与Prof. Tetsuya Yamamoto关于共掺问题进行了深入讨论。 此次会议中我组四名人员与众多参会代表进行了多种形式的交流与探讨，全面了解了氧化锌等领域的研究热点及关键问题所在，我组的成果也获得了国际同行的广泛关注与积极评价。