我组成员参加第七届国际薄膜晶体管计算机辅助设计会议

(CAD-TFT 2016)

（2016年10月29日）

2016年10月26日~28日，由中国科学院微电子研究所主办的第7届国际薄膜晶体管计算机辅助设计会议(CAD-TFT 2016)在北京西郊宾馆隆重召开。本次会议吸引了国际/国内TFT领域学术界和企业界约200名专家和学者的积极参与。会议共设置了8个专题，涵盖了从器件制作、测试、模拟、电路设计、紧凑模型计算到高性能显示器、生物传感器等先进应用的诸多研究领域。会议期间，我组梅增霞副研究员、梁会力副主任工程师和博士生霍文星、张永晖、汤爱华、崔书娟与其他参会代表进行了广泛深入的学术交流。张贴报告期间，霍文星同学详细介绍了题为“A novel three-terminal UV PD barrier-modulated tripe-layer architecture”的新颖工作：利用超高真空分子束外延生长方法和独创的专利技术，我们在硅衬底上制备了基于MgZnO/MgZnO:F/MgZnO三层结构的光电晶体管器件，该器件展示了新颖的I-V特性，非常适合用于对深紫外光的快速探测，结合三端器件中栅极对沟道层载流子的灵敏调控作用，有效抑制了ZnO基材料中常见的持续光电导现象；张永晖同学向参会代表讲解了关于“Flexible fully transparent field-effect diode fabricated at low-temperature with all oxide materials”的报告内容：该工作从实验和TCAD模拟两方面入手，系统研究了我们开发的新型柔性全透明TFT和FED器件的制备工艺和工作机理，由于巧妙地利用了场效应对二极管中载流子的调控作用，我们研制的柔性透明二极管的器件性能完全处于国际领先地位。上述两个代表性研究工作均受到了广大参会者的广泛关注和一致好评，并引发了热烈的讨论，充分展现了我组严谨的科研态度和丰硕的研究成果。