我组杜小龙研究员作为程序委员参加第28届国际半导体缺陷会议

（2015年7月26~31日）

2015年7月26日至31日，第28届国际半导体缺陷会议在芬兰艾斯堡阿尔托大学召开，共有来自30余个国家的260余代表参会。我组杜小龙研究员作为本届大会来自中国大陆的两位程序委员会委员之一（另一位是浙江大学的杨德仁教授）参加了会议。在本届会议中ZnO的本征缺陷是其中一个主要议题，涉及到ZnO的p型掺杂自补偿这一核心科学问题，针对理论结果分歧较大，而实验结果很少且不系统，缺乏可信数据这一现状，大会在28日上午的特别研讨会上对该话题进行了深入的研讨。我们组与挪威奥斯陆大学物理系Andrej Kuznetsov课题组的合作工作“Zinc vacancy energetics revealed by self-diffusion in isotopic ZnO heterostructures”发展了一种通过自扩散研究锌空位形成能的实验方法，受到了大会的强烈关注，多个理论团队提出了合作的愿望，持续的合作研究工作可望进一步揭开氧化物本征缺陷的形成规律，从而在这一重要科学问题上获得重大突破。