第16届II-VI族化合物及相关材料国际学术会议在日本长滨成功召开

（2013年9月9~13日）

2013年9月9日至13日，由日本京都大学承办的第16届II-VI族化合物及相关材料国际学术会议在日本长滨隆重召开。本次会议共吸引了来自中国、日本、韩国、德国、法国、波兰、俄罗斯、英国、美国等十五个国家和地区近200名代表参加。在新材料和新器件的设计与研制、材料光电性能的调控与掺杂缺陷的研究、磁性半导体材料和器件、理论与能带结构研究、新型实验技术的发展等16个专题中,大会组委会共选取了43个大会口头报告、79个张贴报告。我组的梅增霞副研究员和叶大千同学分别就氧化物半导体材料MgZnO与Si体系的集成及其在双带深紫外探测器及高性能增强型薄膜晶体管方面的应用研究作了题为“Dual-Band MgZnO Ultraviolet Photodetector Integrated with Si”和“Enhancement-Mode TFT Using ZnO/MgxZn1-xO on Si”的精彩报告（中国共4个大会口头报告），同时还以张贴报告的形式展示了我组在“Photoluminescence Study of Excitons in Cu2O Films by Defects Manipulation”方面的系统研究成果，获得了广大与会者的关注及好评。