研究领域包括：氧化物半导体薄膜的外延生长（MBE）、物性调控以及光电子器件（微纳加工）性能（光电测试），黑硅太阳能电池的产业化开发。

杜小龙研究员出任第六届全国ZnO会议（ZnO2013)执行主席（2011年11月）

韩国全北大学Prof.Lee和朝鲜大学Prof.Shin到E04课题组参观访问交流（2011年11月28日）

厦门大学郑金成教授到E04课题组参观访问交流（2011年11月11日）

镁锌氧日盲紫外探测材料及器件研发获得新进展（2011年8月23日）

挪威奥斯陆大学Dr. A. Yu. Azarov到E04课题组参观访问交流（2011年8月17日）

自2010年以来，E04组在国际核心刊物上共发表学术论文12篇，获授权专利7项（1项国际专利），新申请专利10项。

1) 首次研制出MSM型纤锌矿相MgZnO日盲紫外探测器，其性能指标均达到国际领先水平；

2) 发展了硅基MgZnO单晶薄膜外延生长的界面控制工艺，首次制备出硅基MgZnO日盲紫外探测器，其截止波长为280nm。该项工作在民用和军事领域都有重要应用价值；

3) 系统地研究了Sb掺杂ZnO薄膜的物理性质以及相关缺陷，相关工作对ZnO的p型掺杂具有重要的指导意义；

4) 开展了全氧化物太阳能电池的研究，制备出Cu2O单晶薄膜，并成功地进行了氮等离子体掺杂，获得了较高p型导电性的薄膜。可望研制出高效率Cu2O基太阳能电池；

5) 开发出一步法黑硅制备工艺，获得了低成本、大规模制备黑硅的工艺技术；该技术有望获得产业化应用。